高產能 

刻蝕和沉積模塊可以組合到一起，采用雙盒式載片臺，進行最大尺寸為200 mm的晶圓工藝來提高產能。 

研發型 

ICP刻蝕機、RIE刻蝕機、PECVD和ICPECVD、真空裝片裝置或盒式載片臺可以用3到6端口的傳遞腔室連接，實現多腔室系統供研發所用。 

SENTECH多腔室機臺由刻蝕沉積模塊、傳遞腔室、預真空室或盒式載片臺組合而成。傳遞腔室可以設置3到6個端口。雙盒式載片臺可以提高產能。傳遞腔可以由多種選件來裝配。 

SENTECH多腔室研發機臺配備有SENTECH專門為其定制的控制軟件來實現工業化操作。

6端口集成系統-工業應用

6端口集成系統，包括2個SI500 RIE端口，cassette片盒站以及科研和小批量生產使用的樣品室loadlock

2端口集成系統，包括ICP-RIE SI500和低溫刻蝕機SI 500 C，帶樣品室loadlock

單個集成系統，包括等離子刻蝕（SI 500）和沉積系統（SI 500 D)

2端口RIE集成系統，可用于刻蝕鋁襯墊

l ICP/RIE 刻蝕機端口

l ICPECVD/PECVD沉積端口

l 真空樣品臺loadlock

l 真空cassette片盒站

l 高真空泵組